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氮化鋁

產品介紹:

    采用高活性鋁源及碳源,通過碳熱還原工藝合成氮化鋁粉體。AlN的導熱率是Al?O?的10倍,導熱率可達到 80~320W/m·k 之間,并且不存在異向傳熱性質,是制備氮化鋁陶瓷基板以及生產各類高導熱產品的重要原料。AlN 用作電子導熱材料的填料,可有效提高基體的導熱性能,為高端電子產品的熱擴散問題提供新的解決方案。

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產品特點:


1. 高燒結活性;

2. 高結晶度,形貌規整;

3. 粒度分布窄;

4. 低C和低O含量。

image.png


關鍵應用:


1. 導熱材料的填料;

2. 用作高導熱 AlN 陶瓷基板的原料;

3. 高導熱半導體、電子產品核心部件;

4. EMC、TIM 填料,FCCL 導熱介電層填料;

5. 新一代大規模集成電路半導體模塊電路及大功率器件的散熱和包裝材料。

6. 復合材料如塑料基板、蒸發舟等的添加劑,高溫結構材料如坩堝等的填料。

TA-1




TA-F01




技術參數:

技術指標

單位

TA系列產品編號

方法/設備

TA-1

TA-F01

粒度分布

D10

μm

0.65

0.75

激光粒度分析儀 / OMEC

D50

μm

1.07

1.27

D90

μm

1.76

2.01

比表面積

㎡/g

2.38

1.78

3H-2000A 比表面積分析儀

真密度

g/cm3

0.82

0.86

BT-303粉體振實密度儀

化學成分

O

%

0.86

0.92

氧氮分析儀

C

ppm

380

340

碳硫分析儀

Ca

ppm

40

60

單道掃描光電直讀光譜儀(ICP-AES)

Si

ppm

30

60

單道掃描光電直讀光譜儀(ICP-AES)

Fe

ppm

10

20

單道掃描光電直讀光譜儀(ICP-AES)

Na

ppm

10

50

單道掃描光電直讀光譜儀(ICP-AES)


* 注意:除特別說明,表中記錄的參數均為參考值而非最高規格,如果您對此存在疑問,請聯系銷售代表。


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